真空制鹽時如何提高鹽晶體成長率？
來源：本站日期：2022-12-30 06:51:00 瀏覽：773
真空制鹽蒸發(fā)器應用較多，經過多個廠家生產實踐證明，真空制鹽蒸發(fā)器是相對比較成功的蒸發(fā)設備。康景輝小編和大家一起聊聊真空制鹽如何提高鹽晶體成長率
在真空制鹽行業(yè)中，蒸發(fā)和結晶是重要的化工單元，處于關鍵地位并起主導作用。
目前我們所采用的蒸發(fā)結晶器是在原始蒸發(fā)裝置的基礎上發(fā)展起來的，它不再是僅僅為了強化傳熱及蒸發(fā)能力而獲得產品﹐同時更主要的是以提高結晶產品的質量和粒度為目的。
鹽晶核、晶體的成長如何提高成長率？要從以下6個方面著手
1、晶體成長的推動力是溶液的過飽和濃度差和傳質速度，過飽和溶液中溶質擴散到晶核附近的相對靜止液層并穿過相對靜止溶液層到達晶體表面結晶生長在其表面上，使其晶體長，并放出結晶熱，熱量再依靠擴散傳遞到溶液中去。
2、溶液的溫度，在相同的時間和相同的溶液過飽和濃度差條件下，溶液的溫度越高，溶液的粘度越小，溶質的擴散速度越快，晶體的成長速度也快，因此，溶液溫度高時，容易得到粒徑較大的產品。
3、溶液中的雜質濃度及懸浮物的變化：在相同的溫度條件下，溶液中雜質含量及懸浮物增加﹐則溶液濃度增高。溶液粘度上升﹐溶液的擴散速度下降﹐晶體的成長速度也減小。
4、晶體在蒸發(fā)結晶器停留時間：根據溶液中 NaCl的成核速率與產品排出速率基本一致，NaCI晶體的成長速率和產品粒徑的要求，從而確定晶體在蒸發(fā)結晶器的停留時間。
5、循環(huán)溶液流量：當加熱蒸汽量一定時循環(huán)溶液流量和溶液的過飽和度成反比的函數關系，而循環(huán)流量又確定了蒸發(fā)結晶器各部位的流速大小，速度大又引起晶體之間、晶體與器壁之間的碰撞加劇，致使晶體破碎成二次晶核的可能性增大﹐對產品粒徑影響也很大﹐因此要有適當的流量。
6、鹽漿濃度：指參加循環(huán)料液中的晶體濃度，又叫固液比，在其它條件一定的前提下，鹽漿濃度高則蒸發(fā)結晶器晶體的保有量多。
晶體停留時間增長有利于料液過飽和度的消除和晶體成長。但鹽漿濃度過高﹐晶體之間、晶體與器壁之間碰撞機率增多﹐晶體被破碎成二次晶核的機率也多,對晶體成長也不利,所以應控制適當的晶體濃度才行，一般的固液比控制在20%左右為宜。
